Infineon präsentiert erstes TLVR-Vierphasenmodul mit über 2 A/mm² Stromdichte für KI-Rechenzentren der Zukunft

Bei dem TDM24745T handelt es sich um ein neues OptiMOS™-Vierphasen-Leistungsmodul, das speziell für die rasant steigenden Leistungsanforderungen von KI-Beschleunigern entwickelt wurde. Es integriert vier Leistungsstufen, einen TLVR-Induktor und Entkopplungskondensatoren in einem kompakten Gehäuse mit den Abmessungen 9 x 10 x 5 mm³. Das Modul erreicht eine branchenführende Stromdichte von über 2 A/mm². Diese Kombination ermöglicht ein hervorragendes Transientenverhalten und unterstützt die hohen Kernströme moderner GPU- und KI-Prozessoren.

„Da KI-Workloads in beispiellosem Tempo wachsen, ist der Bedarf an hocheffizienter und extrem kompakter Stromversorgung größer denn je“, sagt Athar Zaidi, Senior Vice President und General Manager für Power-ICs und Konnektivität bei Infineon. „Mit dem TDM24745T definieren wir die Grenzen der Hochstrom-Spannungsregelung neu. Durch die Kombination branchenführender Stromdichte mit TLVR-Technologie auf kleinstem Raum ermöglichen wir unseren Kunden, mehr Rechenleistung zu erschließen, den Energiebedarf zu senken und die Einführung von KI-Rechenzentren der nächsten Generation zu beschleunigen.“

Der Energiebedarf von KI-Rechenzentren steigt kontinuierlich, weshalb Stromversorgungsarchitekturen kompakter, reaktionsschneller und effizienter werden müssen. Das TDM24745T-Modul begegnet diesen Herausforderungen, indem es das Design der Stromversorgungsarchitektur vereinfacht, eine höhere Leistungsdichte ermöglicht, und so zusätzlichen Platz auf der Leiterplatte für zusätzliche Rechenressourcen schafft. Gleichzeitig bietet das Modul ein extrem schnelles Transientenverhalten. Die TLVR-Architektur kann zudem die erforderliche Ausgangskapazität um bis zu 50 Prozent reduzieren und unterstützt Systementwickler dabei, effizientere und platzsparende Layouts zu realisieren, die direkt zu Energieeinsparungen und niedrigeren Gesamtbetriebskosten auf AI-Serverplattformen beitragen.

Als branchenweit erstes TLVR-Vierphasenmodul in diesem kompakten Formfaktor bietet das TDM24745T eine Spitzenstromkapazität von bis zu 320 A und eignet sich damit besonders gut für KI-Prozessoren der nächsten Generation sowie Hochstrom-Multiprozessorplattformen. In Kombination mit den digitalen Mehrphasen-Controllern von Infineon unterstützt das Modul flexible und skalierbare Architekturen, die die Systembereitstellung in schnell wachsenden KI-Umgebungen beschleunigen. Basierend auf der OptiMOS 6 MOSFET-Technologie, chipintegrierten Lösungen und proprietären Magnetkomponenten liefert das Modul selbst in den dicht gepackten KI-Serverdesigns verbesserte Effizienz sowie thermische Leistung und trägt so zur Entwicklung energieeffizienterer KI-Fabriken bei.

Das Leistungsmodul TDM24745T lässt sich nahtlos in das durchgängige Ökosystem von Infineon für die Stromversorgung von KI-Servern integrieren, das alle Bereiche von der Netzschnittstelle bis hin zu den Kernprozessor-Stromschienen abdeckt. Durch die Nutzung der kombinierten Vorteile von Silizium (Si), Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) bietet Infineon einen umfassenden und skalierbaren Ansatz, um höchste Effizienz, Robustheit und Leistungsdichte für KI-optimierte Rechenzentrumsarchitekturen zu realisieren.

Verfügbarkeit

Weitere Informationen sind erhältlich unter TDM24745T OptiMOS quad-phase power module.

Infineon AI Days Taiwan

Der Infineon We Power AI Day ist eine Branchenveranstaltung für Business- und Technologieführer in Taiwan. Gemeinsam mit unseren Ökosystempartnern und Kunden erkunden wir die neuesten Fortschritte im Feld der Leistungstechnologien. Das Ziel ist eine nachhaltige KI-Infrastruktur, gestaltet mit den innovativen Lösungen von Infineon – vom Netz bis zum Kern („grid to core“). Die Veranstaltung findet am 31. März in Taipeh statt.

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