TSMC und ASML: Initiative angekündigt, um den Wechsel zu großformatigen Fotomasken für EUV mit hoher NA voranzutreiben

Zwar wird High-NA-EUV zunächst in der Produktion mit den derzeitigen 6-Zoll-Masken eingesetzt, doch wird erwartet, dass der Übergang zu größeren 12-Zoll-Masken die Produktivität der Fertigungsanlagen weiter steigern, die Kosten für die Chipherstellung senken und Einschränkungen beim Stitching beseitigen wird, wovon die gesamte Halbleiterindustrie profitiert. Dies wird es führenden Chipherstellern ermöglichen, die Vorteile von High-NA-EUV voll auszuschöpfen und künftige Generationen von Spitzenchips kosteneffizienter zu gestalten.

„Wir gehen davon aus, dass die Einführung von High-NA-EUV im Zuge der Roadmap zur Verkleinerung der Bauteile schrittweise zunehmen wird – zunächst unter Verwendung der aktuellen 6-Zoll-Masken und später zusätzlich unterstützt durch 12-Zoll-Masken, die eine höhere Scanner-Produktivität ermöglichen und es der Branche erlauben, die Nachfrage nach kleineren, schnelleren und energieeffizienteren Chips zu befriedigen“, sagte Christophe Fouquet, Präsident und CEO von ASML. „Wir freuen uns über die starke anfängliche Unterstützung dieser Initiative durch Halbleiterhersteller, Maskenlieferanten und Partner.“

„Wir waren schon immer davon überzeugt, dass wir Möglichkeiten erschließen, die kein einzelnes Unternehmen allein erreichen könnte, wenn die Branche gemeinsam an der Lösung komplexer Probleme arbeitet“, sagte Dr. C.C. Wei, Vorsitzender und CEO von TSMC. „Indem wir das Fachwissen aus der gesamten Wertschöpfungskette der Branche bündeln, hoffen wir, durch kontinuierliche Innovation weiterhin die Vorteile modernster Technologie bereitzustellen – eine Innovation, die Hindernisse abbaut und fortschrittliche Lösungen in großem Maßstab zugänglich macht.“

TSMC beabsichtigt, die High-NA-Technologie von ASML ab 2030 in der Massenfertigung für fortschrittliche Strukturgrößen einzusetzen. Mit fortschreitender Entwicklung der Strukturgrößen erwartet TSMC einen Anstieg der Anzahl der Schichten, die High-NA-EUV erfordern – vor allem aufgrund der zunehmend komplexen Transistorarchitekturen, die für KI-Anwendungen benötigt werden.

Am 7. September, im Vorfeld der jährlichen SPIE BACUS-Konferenz in Monterey, Kalifornien, gründeten ASML und TSMC eine branchenweite Kooperationsinitiative, um den Übergang zu 12-Zoll-Fotomasken voranzutreiben. Diese Initiative zielt darauf ab, bis 2031 eine Pilotlinie für 12-Zoll-Masken einzurichten und damit den Weg für den Einsatz von 12-Zoll-High-NA-Lithografiesystemen in der Produktion fortschrittlicher Strukturgrößen bis 2033 zu ebnen.

Als Zeichen der breiten Unterstützung durch die Branche nahmen wichtige Partner und Zulieferer des Ökosystems an der Veranstaltung teil und bekundeten ihr Interesse an diesem Übergang.

– – – – –

Weiterführende Links

👉 www.asml.com 
👉 www.tsmc.com/english  

Foto: unsplash