Mikroelektronik

Samsung Electronics und ASML: Ausbau der strategischen Zusammenarbeit bei der Halbleiterfertigung der nächsten Generation

8. September 2026. Aufbauend auf ihrer langjährigen erfolgreichen Zusammenarbeit werden die Unternehmen gemeinsam daran arbeiten, die Entwicklung und den Einsatz von Technologien voranzutreiben, die den steigenden Anforderungen an Leistung und Effizienz in der modernen Halbleiterfertigung gerecht werden.

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Symbolbild Halbleiter / Foto von Vishnu Mohanan auf Unsplash

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Samsung wird sich der Brancheninitiative anschließen, um die 12-Zoll-Fotomasken-Technologie der nächsten Generation für die zukünftige Fertigung voranzutreiben. Die Halbleiterindustrie stützt sich seit Jahrzehnten auf das 6-Zoll-Fotomaskenformat. Mit High-NA-EUV wird erwartet, dass der Übergang zu größeren 12-Zoll-Masken die Produktivität der Fertigungsanlagen weiter steigert, die Kosten für die Chip-Herstellung senkt und Einschränkungen beim Zusammenfügen beseitigt. Dadurch werden fortschrittliche Chiphersteller in die Lage versetzt, die Vorteile von High-NA-EUV voll auszuschöpfen, wodurch künftige Generationen von Spitzenchips kostengünstiger werden.

Aufgrund seiner Führungsrolle sowohl in der Speicher- als auch in der Foundry-Fertigung sowie seiner umfassenden Erfahrung mit fortschrittlicher EUV-Lithografie ist Samsung bestens positioniert, um eine entscheidende Rolle beim Übergang zu 12-Zoll-Fotomasken zu spielen. Das Unternehmen wird eng mit Branchenpartnern zusammenarbeiten, um die erforderlichen Maskentechnologien und die dazugehörige Infrastruktur zu entwickeln.

Samsung plant zudem, die High-NA-EUV-Lithografie (Extreme Ultraviolet) von ASML bis 2028 branchenweit erstmals in die zukünftige Massenproduktion von DRAMs einzuführen und damit erneut die Eignung der High-NA-Technologie für fortschrittliche Speicher- und Logik-Anwendungen unter Beweis zu stellen. Es wird erwartet, dass High-NA-EUV die Skalierungs-Roadmap für DRAMs erweitert, wobei die verbesserte Auflösung eine Vereinfachung der Prozesse und eine Steigerung der Effizienz ermöglicht.

Die Ankündigung spiegelt das gemeinsame Bekenntnis zu Innovation, Technologieführerschaft und langfristiger Partnerschaft wider. Samsung und ASML gehen davon aus, weiterhin Möglichkeiten der Zusammenarbeit in Bereichen wie fortschrittliche Speicher und innovative Fertigungsansätze zu erkunden.

Young Hyun Jun, stellvertretender Vorsitzender und CEO von Samsung Electronics, sagte: „Das Zeitalter der KI verändert die Halbleiterindustrie und erhöht die Bedeutung technologischer Innovationen entlang der gesamten Wertschöpfungskette. Samsung ist bestrebt, durch bahnbrechende Technologien und starke Partnerschaften seine Führungsposition in der fortschrittlichen Halbleiterfertigung, einschließlich Speicher und Foundry, zu behaupten. Durch die weitere Stärkung unserer Zusammenarbeit mit ASML tragen wir dazu bei, den Grundstein für die nächste Generation von KI- und Halbleiterinnovationen zu legen.“

Christophe Fouquet, Präsident und Vorstandsvorsitzender von ASML, sagte: „Samsung ist seit vielen Jahren einer der wichtigsten Innovationspartner von ASML. Gemeinsam haben wir dazu beigetragen, die Technologien voranzutreiben, die der modernen Halbleiterfertigung zugrunde liegen. Da die Branche in eine neue, von künstlicher Intelligenz geprägte Ära eintritt, wird die enge Zusammenarbeit mit unseren Kunden noch wichtiger. Wir freuen uns darauf, gemeinsam mit Samsung die nächste Welle der Halbleiterinnovation voranzutreiben.“

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Weiterführende Links

👉 www.asml.com 
👉 https://semiconductor.samsung.com   

Foto: unsplash

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