Infineon: Mission erfüllt: Infineon-Technologie bewährt sich erneut bei Mondmission Artemis II im Weltall

Die NASA-Artemis-II-Mission ist nach zehn Tagen im Weltraum, der Näherung an den Mond und der weitesten Entfernung der bemannten Raumfahrt von der Erde erfolgreich zurückgekehrt. Vier Astronaut*innen sind sicher auf der Erde gelandet und mit ihnen der erneute Beweis, dass die strahlungsgehärteten Halbleiterlösungen der Infineon Technologies AG auch unter den extremen Bedingungen des Weltraums zuverlässig funktionieren. Von der kritischen Energieversorgung über Steuerungssysteme bis hin zur Datenkommunikation leisten strahlungsgehärtete Technologien von Infineon aus der IR HiRel (High Reliability)-Division einen wichtigen Beitrag zum elektronischen Rückgrat im Innern der Orion-Kapsel.

„Raumfahrtprogramme brauchen Technologien und Partner, auf die über Jahrzehnte Verlass ist. Infineon ist ein entscheidender Technologiepartner und wir sind stolz darauf, dass wir erneut zum Erfolg einer historischen Mission beitragen konnten,“ sagt Mike Mills, Senior Vice President und General Manager von IR HiRel bei Infineon. „Die Raumfahrt entwickelt sich rasant: Mehr Missionen, mehr Daten, mehr Elektrifizierung – bei gleichzeitiger Reduktion von Größe, Gewicht und Energieverbrauch. In dieser Gleichung werden Halbleiter zu einem zentralen Fokuspunkt in der Raumfahrt. Dass unsere Komponenten von der ersten bis zur letzten Minute der Artemis-II-Mission perfekt funktioniert haben, ist kein Zufall. Es ist das Ergebnis jahrzehntelanger Ingenieursarbeit, strenger Qualifikationsprozesse und eines tiefen Verständnisses dafür, was Halbleiter im Weltraum leisten müssen.“

Die Artemis-II-Mission ist kein Debüt für Infineon im Weltraum. Bereits in den 1970er-Jahren lieferten die Vorgängerunternehmen von Infineon die ersten sogenannten radiation-hardened (rad-hard) Komponenten für die Raumfahrtprogramme der NASA und der ESA. Seitdem hat Infineon IR HiRel Hunderte von Weltraummissionen unterstützt, von Navigationssatelliten über die Internationale Raumstation (ISS) bis hin zum heutigen Artemis-Programm. Die rad-hard Komponenten von Infineon haben eine größere Distanz zurückgelegt als jedes andere von Menschenhand geschaffene Objekt – mehr als 20 Milliarden Kilometer von der Erde entfernt. Als Technologieführer investiert Infineon kontinuierlich in die Entwicklung und Herstellung der leistungsstärksten strahlungsgehärteten Halbleiter und unterstützt damit die weltweite Raumfahrtindustrie.

Die Anforderungen an Halbleiter im Weltraum sind enorm. Jenseits des schützenden Erdmagnetfeldes treffen hochenergetische Partikel ungehindert auf elektronische Bauteile und können diese dauerhaft beschädigen oder zerstören. Die rad-hard Technologie von Infineon wirkt diesen Mechanismen nicht durch passive Abschirmung entgegen, sondern durch eine von Grund auf strahlungsresistente Halbleiterarchitektur. Alle Produkte sind nach den strengsten internationalen Raumfahrtnormen qualifiziert, darunter MIL-PRF-38535 Class V, die ESCC-Normen der ESA sowie NASA EEE-INST-002, was ihre zuverlässige Leistung bestätigt.

Innovation entsteht bei Infineon dabei im Gesamtsystem: Halbleitertechnologie, rad-hard Sicherheit und die Stabilität der Chip-Gehäuse greifen ineinander. Ein optimiertes Gesamtsystem beeinflusst nicht nur die elektrische Performance, sondern auch das thermische Verhalten und die Zuverlässigkeit – und kann gleichzeitig Gewicht und Volumen reduzieren. In der Raumfahrt, wo jedes Gramm zählt, ist das ein entscheidender Systemvorteil.

Wide-Bandgap-Technologie: GaN macht den nächsten Schritt

Dabei setzt Infineon auch auf ganz neue Halbleitermaterialien in Weltraumanwendungen. Galliumnitrid (GaN) ermöglicht geringere Schaltverluste, höhere Leistungsdichte und höhere Schaltfrequenzen. Dadurch verkleinern sich Stromverluste und der Bedarf an Magnetik und ermöglicht weitere Gewichtseinsparungen. Basierend auf interner Fertigung und damit kontrollierbarer Prozess- und Qualitätsstabilität, bringt Infineon mit dem strahlungsgehärteten 100-V-GaN-Transistor, der nach JANS (Joint Army Navy Space) gemäß MIL-PRF-19500 qualifiziert ist, GaN von der Vision zur verlässlichen Technologie in anspruchsvollen Weltraummissionen. Das JANS-qualifiziertes Bauteil von Infineon ist der erste und einzige intern gefertigte rad-hard GaN-Transistor auf dem Markt.

Infineon bietet ein breites rad-hard Portfolio, von Silizium-Power-MOSFETs und GaN-Transistoren über Gate-Treiber und Solid-State-Relais bis hin zu strahlungsgehärteten Speichern und Radio-Frequency (RF)-Bauteilen. Mit eigenen Strahlungstestkapazitäten und garantierter Langzeitverfügbarkeit versteht sich Infineon nicht nur als Komponentenlieferant, sondern als strategischer Technologiepartner für die gesamte Raumfahrtindustrie.

_ _ _ _ _
Über Infineon

Die Infineon Technologies AG ist ein weltweit führender Anbieter von Halbleiterlösungen für Power Systems und das Internet der Dinge (IoT). Mit seinen Produkten und Lösungen treibt Infineon die Dekarbonisierung und Digitalisierung voran. Das Unternehmen hat weltweit rund 57.000 Beschäftigte (Ende September 2025) und erzielte im Geschäftsjahr 2025 (Ende September) einen Umsatz von rund 14,7 Milliarden Euro. Infineon ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International unter dem Symbol „IFNNY“ notiert.

_ _ _ _ _
Kontakt

Michael Burner
Spokesperson Consumer, Compute and Communication, PSS Division
Phone +49 89 234 39300
Mail michael.burner@infineon.com

_ _ _ _ _
Weiterführende Links

👉 Zur Originalpressemeldung