Mikroelektronik

Fraunhofer IZM: Soitec startet europäisches Projekt zur Entwicklung von Hochfrequenz-Halbleitern der Zukunft

5. Juli 2024. Ein europäisches Forschungs- und Industriekonsortium unter der Leitung von Soitec, einem weltweit führenden Unternehmen bei der Entwicklung und Herstellung innovativer Halbleitermaterialien, hat mit der Entwicklung einer künftigen Generation von Hochfrequenz-Halbleitern auf der Basis von Indiumphosphid (InP) begonnen. Diese Technologien sind für Anwendungen vorgesehen, die von der Photonik für KI-Mega-Rechenzentren bis hin zu Hochfrequenzfiltern reichen, die für die 6G-Mobilkommunikation und darüber hinaus entscheidend sind.

Symbolbild Halbleiter / pixabay CristianIS

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Indiumphosphid-Halbleiter können bei Frequenzen von annähernd oder mehr als 1 Terahertz (THz) arbeiten und bieten überlegene Geschwindigkeiten und Umweltfreundlichkeit durch erhöhte Energieeffizienz.

Das 27 Mitglieder zählende Konsortium Move2THz soll die Grundlagen für ein robustes europäisches Liefer- und Produktionsökosystem für InP-Halbleiter schaffen und die Hindernisse beseitigen, die einer breiteren Einführung im Wege stehen, darunter die Kosten und die Verfügbarkeit von InP-Wafern oder -Substraten. Das auf drei Jahre angelegte Projekt wird von der Europäischen Union sowie von den Regierungen Frankreichs, der Schweiz, Deutschlands, Schwedens, der Niederlande und Belgiens gefördert.

Die Arbeiten werden offiziell auf einer Auftaktsitzung am 9. und 10. Juli am Hauptsitz von Soitec in Bernin, Frankreich, beginnen.

Die Mitglieder des Konsortiums sind:

Frankreich: Soitec (Projektleitung); Französische Kommission für alternative Energien und Atomenergie; STMicroelectronics; Nationales Zentrum für wissenschaftliche Forschung; Institut für Elektronik, Mikroelektronik und Nanotechnologie; InPACT; III-V Lab; Almae Technologies; Universität Bordeaux.
Deutschland: Fraunhofer-Gesellschaft; Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik; Aixtron SE; Universität Duisburg-Essen; Freiberger Compound Materials GmbH; Microwave Photonics GmbH; AdMOS GmbH Advanced Modeling Solutions.
Belgien: Interuniversitäres Zentrum für Mikroelektronik; Katholische Universität von Löwen; Incize.
Schweiz: Diramics AG; ETH Zürich; Albis Optoelectronics AG.
Schweden: Chalmers Universität für Technologie AB; Low Noise Factory AB.
Niederlande: Technische Universität Eindhoven; Smart Photonics BV.
Litauen: Teraglobus.

DANKSAGUNG: Move2THz wird vom Gemeinsamen Unternehmen Chips und seinen Mitgliedern unterstützt, einschließlich der Zusatzfinanzierung durch die nationalen Behörden Frankreichs, der Schweiz, Deutschlands, Schwedens, der Niederlande und Belgiens unter der Finanzhilfevereinbarung Nr. 101139842.

Finanziert von der Europäischen Union. Die geäußerten Ansichten und Meinungen sind jedoch ausschließlich die des Autors/der Autoren und spiegeln nicht unbedingt die der Europäischen Union oder der Bewilligungsbehörde wider. Weder die Europäische Union noch die Bewilligungsbehörde können für diese verantwortlich gemacht werden.

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francois.brunier@soitec.com

Uwe Maaß
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