GlobalFoundries: STMicroelectronics und GlobalFoundries fördern FD-SOI-Ökosystem mit neuer 300-mm-Fertigungsanlage in Frankreich
STMicroelectronics (NYSE: STM), ein weltweit führendes Halbleiterunternehmen, das Kunden aus dem gesamten Spektrum elektronischer Anwendungen beliefert, und GlobalFoundries Inc. (Nasdaq: GFS), ein weltweit führendes Unternehmen im Bereich der funktionsreichen Halbleiterfertigung, gaben heute die Unterzeichnung einer Absichtserklärung zur Errichtung einer neuen, gemeinsam betriebenen 300-mm-Halbleiterfertigungsanlage neben der bestehenden 300-mm-Anlage von ST in Crolles, Frankreich, bekannt. Diese Anlage soll bis 2026 ihre volle Kapazität erreichen und bei voller Auslastung bis zu 620.000 300mm-Wafer pro Jahr produzieren (~42% ST und ~58% GF).
STMicroelectronics (NYSE: STM), ein weltweit führendes Halbleiterunternehmen, das Kunden aus dem gesamten Spektrum elektronischer Anwendungen beliefert, und GlobalFoundries Inc. (Nasdaq: GFS), ein weltweit führendes Unternehmen im Bereich der funktionsreichen Halbleiterfertigung, gaben heute die Unterzeichnung einer Absichtserklärung zur Errichtung einer neuen, gemeinsam betriebenen 300-mm-Halbleiterfertigungsanlage neben der bestehenden 300-mm-Anlage von ST in Crolles, Frankreich, bekannt. Diese Anlage soll bis 2026 ihre volle Kapazität erreichen und bei voller Auslastung bis zu 620.000 300mm-Wafer pro Jahr produzieren (~42% ST und ~58% GF).
ST und GF sind bestrebt, Kapazitäten für ihren europäischen und weltweiten Kundenstamm aufzubauen. Diese neue Anlage wird mehrere Technologien unterstützen, insbesondere FD-SOI-basierte Technologien, und mehrere Varianten abdecken. Dazu gehören die marktführende FDX-Technologie von GF und die umfassende Technologie-Roadmap von ST bis hinunter zu 18 nm, für die in den nächsten Jahrzehnten eine hohe Nachfrage in den Bereichen Automotive, IoT und mobile Anwendungen erwartet wird.
Die FD-SOI-Technologie hat ihren Ursprung im Raum Grenoble (Frankreich). Sie war von Anfang an Teil der Technologie- und Produkt-Roadmap von ST in seinem Werk in Crolles. Später wurde sie durch Differenzierung ermöglicht und für die Fertigung im Dresdner Werk von GF kommerzialisiert. FD-SOI bietet Entwicklern und Kunden erhebliche Vorteile, darunter einen extrem niedrigen Stromverbrauch sowie eine einfachere Integration zusätzlicher Funktionen wie RF-Konnektivität, mmWave und Sicherheit.
ST und GF erhalten für die neue Anlage erhebliche finanzielle Unterstützung vom französischen Staat. Diese Anlage wird einen wichtigen Beitrag zu den Zielen des European Chips Act leisten, einschließlich des Ziels, dass Europa bis 2030 einen Anteil von 20 % an der weltweiten Halbleiterproduktion erreicht. Zusätzlich zu den umfangreichen, mehrjährigen Investitionen in die fortschrittliche Halbleiterfertigung in Europa wird sie die Führung und Widerstandsfähigkeit des europäischen Technologie-Ökosystems unterstützen, von der Forschung und Entwicklung (mit der kürzlich angekündigten Zusammenarbeit zwischen ST, GF, CEA-Leti und Soitec) bis hin zur Großserienfertigung, und europäische und globale Kunden mit zusätzlichen Kapazitäten bei komplexen, fortschrittlichen Technologien für wichtige Endmärkte wie Automobil, Industrie, IoT und Kommunikationsinfrastruktur unterstützen. Die neue Produktionsstätte wird einen wesentlichen Beitrag zur globalen digitalen und umweltfreundlichen Transformation leisten, indem sie Schlüsseltechnologien und -produkte zur Verfügung stellt. Sie wird zusätzliche Arbeitsplätze am ST-Standort Crolles (ca. 1.000 zusätzliche Mitarbeiter für die neue Produktionsstätte) und im gesamten Ökosystem von Partnern, Zulieferern und Interessengruppen schaffen.
Durch ihre Zusammenarbeit werden ST und GF die Größenvorteile des Standorts Crolles nutzen, um die weltweit benötigte Halbleiterkapazität mit hoher Kapitaleffizienz zu steigern.
"Diese neue Produktionsstätte wird unser Umsatzziel von über 20 Milliarden US-Dollar unterstützen. Die Zusammenarbeit mit GF wird es uns ermöglichen, schneller zu arbeiten, die Risikoschwellen zu senken und das europäische FD-SOI-Ökosystem zu stärken. Wir werden mehr Kapazitäten haben, um unsere europäischen und globalen Kunden beim Übergang zur Digitalisierung und Dekarbonisierung zu unterstützen", sagte Jean-Marc Chery, Präsident und CEO von STMicroelectronics. "ST ist dabei, seine Produktionsbasis umzugestalten. Wir haben bereits eine einzigartige Position in unserer 300-mm-Waferfertigung in Crolles, Frankreich, die durch die heutige Ankündigung weiter gestärkt wird. Wir investieren weiterhin in unsere neue 300-mm-Waferfabrik in Agrate (nahe Mailand, Italien), die im ersten Halbjahr 2023 in Betrieb genommen wird und voraussichtlich Ende 2025 voll ausgelastet sein wird, sowie in unsere vertikal integrierte Siliziumkarbid- und Galliumnitrid-Produktion.
"Unsere Kunden suchen einen breiten Zugang zu 22FDX®-Kapazitäten für Automobil- und Industrieanwendungen. Das neue Werk wird über spezielle Gießereikapazitäten von GF für unsere Kunden verfügen, die die einzigartige Innovation von GF anbieten, und wird von GF-Mitarbeitern vor Ort betreut. Diese gemeinsam betriebene Erweiterung der Fertigungskapazitäten nutzt die bestehende Infrastruktur des ST-Werks in Crolles und ermöglicht es GF, sein Wachstum zu beschleunigen und gleichzeitig von Skaleneffekten zu profitieren, um zusätzliche Kapazitäten auf unserer differenzierten 22FDX-Plattform, von der bereits mehr als eine Milliarde Chips ausgeliefert wurden, auf äußerst kapitalsparende Weise bereitzustellen. Mit der heutigen Ankündigung erweitern wir die Präsenz von GF im dynamischen europäischen Technologie-Ökosystem und stärken unsere Position als führende Halbleiter-Foundry in Europa", so Dr. Thomas Caulfield, CEO von GF. "Unsere globale Präsenz ermöglicht es GF nicht nur, den Kapazitätsbedarf unserer Kunden zu decken, sondern bietet ihnen auch Sicherheit in der Lieferkette. Die partnerschaftliche Investition mit der französischen Regierung, zusammen mit unseren langfristigen Kundenverträgen, schafft das richtige wirtschaftliche Modell für die Investition von GF."
