10. April 2025. IQE plc, der weltweit führende Anbieter von Verbundhalbleiter-Waferprodukten und fortschrittlichen Materiallösungen, und X-FAB Silicon Foundries SE, die führende Analog-/Mixed-Signal- und Spezialgießerei, freuen sich, eine gemeinsame Entwicklungsvereinbarung (JDA) zur Schaffung einer in Europa ansässigen GaN-Leistungsbauelement-Plattformlösung bekannt zu geben.
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Im Rahmen eines zunächst auf zwei Jahre angelegten Arbeitsprogramms werden IQE und X-FAB gemeinsam an der Entwicklung eines 650-V-GaN-Geräts arbeiten. Die Vereinbarung wird die GaN-Epitaxie-Design- und Prozesskompetenz von IQE sowie die bewährten Technologieentwicklungs- und Gerätefertigungsfähigkeiten von X-FAB nutzen, um eine optimierte Technologie-Substrat-Kombination für Automobil-, Rechenzentrums- und Verbraucheranwendungen anzubieten.
Diese Zusammenarbeit wird Halbleiterunternehmen ohne eigene Fertigung eine hochmoderne, serienreife GaN-Plattform bieten, die ihre Innovationszyklen und die Markteinführungszeit beschleunigt. Die Technologie wird auch als Grundlage für die zukünftige Produktentwicklung dienen und über 650 V hinausgehen, um der wachsenden Marktnachfrage nach Leistungselektronik gerecht zu werden.
Jutta Meier, Interims-Vorstandsvorsitzende und Finanzvorstand von IQE, kommentiert: „Wir freuen uns, gemeinsam mit X-FAB eine erstklassige GaN-Power-Foundry-Lösung in Europa zu entwickeln, die unseren Fabless-Kunden Outsourcing-Optionen bietet. Aufbauend auf unserer GaN-Epitaxie-Expertise und den jüngsten Investitionen in zusätzliche GaN-Reaktorkapazitäten steht diese Vereinbarung im Einklang mit unserer GaN-Diversifizierungsstrategie, erweitert unsere Kundenreichweite und beschleunigt die Markteinführung von GaN-Leistungsanwendungen.“
„Durch die Kombination unserer langjährigen Expertise in der Herstellung von GaN-Bauelementen und der Design-Enablement mit der Epitaxie-Führerschaft von IQE schaffen wir eine einzigartige, schlüsselfertige GaN-Power-Plattform“, erklärt Jörg Doblaski, Chief Technology Officer bei X-FAB. „Zusätzlich zu unserer bestehenden GaN-Technologie bietet diese Zusammenarbeit eine überzeugende Alternative zu bestehenden Lieferkettenmodellen und stärkt die Position Europas in der Leistungshalbleitertechnologie der nächsten Generation.“
X-FAB ist eine globale Foundry-Gruppe, die eine umfassende Palette von Spezialtechnologien und Design-IP bereitstellt, um ihren Kunden die Entwicklung weltweit führender Halbleiterprodukte zu ermöglichen, die in den sechs Waferfabriken von X-FAB in Malaysia, Deutschland, Frankreich und den Vereinigten Staaten hergestellt werden. Mit seiner Expertise in den Bereichen Analog-/Mixed-Signal-Technologien, Mikrosysteme/MEMS und Siliziumkarbid (SiC) ist X-FAB der Entwicklungs- und Fertigungspartner für seine Kunden, die hauptsächlich in den Endmärkten Automobil, Industrie und Medizin tätig sind. X-FAB beschäftigt rund 4.500 Mitarbeiter und ist seit April 2017 an der Euronext Paris notiert (XFAB).
IQE ist der weltweit führende Anbieter von fortschrittlichen Verbindungshalbleiter-Wafern und Materiallösungen, die eine Vielzahl von Anwendungen in folgenden Bereichen ermöglichen:
Als skalierter globaler Epitaxie-Wafer-Hersteller ist IQE einzigartig positioniert in diesem Markt, der hohe Eintrittsbarrieren aufweist. IQE beliefert den globalen Markt und ermöglicht es Kunden, auf Chip- und OEM-Ebene innovativ zu sein. Durch die Nutzung des Portfolios an geistigem Eigentum der Gruppe, einschließlich Know-how und Patenten, produziert das Unternehmen Epitaxie-Wafer von höchster Qualität, Ausbeute und Wirtschaftlichkeit.
IQE hat seinen Hauptsitz in Cardiff, Großbritannien, und beschäftigt Mitarbeiter an Produktionsstandorten in Großbritannien, den USA und Taiwan.
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Foto: IQE
