X-FAB bietet die GaN-on-Si-Technologie aus seiner hochmodernen 8-Zoll-Fabrik in Dresden an, einer von sechs Produktionsstätten, die das Unternehmen weltweit betreibt. Die Fabrik in Dresden verfügt über eine breite Palette spezialisierter Verarbeitungsanlagen, Messgeräte und Technologien, die für die Entwicklung und Produktion von GaN sowie analogem CMOS optimiert sind, und das in einer stabilen, vertrauenswürdigen und für die Automobilindustrie qualifizierten Fabrikumgebung. Die vor Ort vorhandenen Werkzeuge wurden für die Verarbeitung der dickeren GaN-on-Si-Wafer optimiert, die von Kunden aus Bereichen wie Automobil, Rechenzentren, Industrie, erneuerbare Energien, Medizin und anderen benötigt werden.
Dank seiner langjährigen Erfahrung im Bereich Hochspannungs-GaN erstreckt sich das interne Know-how des Unternehmens nun auch auf GaN-on-Si-Foundry-Services für dMode-Bauelemente, nachdem kürzlich die XG035-dMode-Technologie als offene Foundry-Plattform veröffentlicht wurde. Der Prozess umfasst dMode-HEMT-Transistoren (skalierbar von 100 V bis 650 V), die häufig in Stromumwandlungsanwendungen eingesetzt werden. Darüber hinaus bietet X-FAB kundenspezifische GaN-Technologien an, darunter dMode, eMode-HEMTs sowie Schottky-Barrier-Dioden, die unter anderem für Hochfrequenzgleichrichtung, Stromversorgung und Solarpanel-Anwendungen beliebt sind.
Die weltweite Nachfrage nach Ladeanwendungen, Elektrofahrzeugen, fortschrittlichen Energiemanagementsystemen und leistungsfähigeren Rechenzentren wächst. In Bezug auf Letzteres treibt das Training und der Einsatz von KI den Bedarf an mehr Rechenressourcen voran, was zu einem höheren Strombedarf und einer effizienteren Stromversorgung und -umwandlung führt.
Die GaN-on-Si-Technologie ist ein vielversprechendes Halbleiterverfahren, das eine hohe Schaltfrequenz und einen niedrigen RDS (Widerstand zwischen Drain- und Source-Anschluss) im eingeschalteten Zustand ermöglicht. Mit seiner geringen Grundfläche und seiner hohen Spannungsfestigkeit vervollständigt GaN-on-Si das Angebot von X-FAB für WBG-Chip-Prozesse und ermöglicht es Kunden, Produkte zu entwickeln, die die Energieeffizienz vom Stromnetz bis hin zur Autobatterie oder GPU verbessern.
„Dank unserer über 30-jährigen Erfahrung mit CMOS-Technologien für die Automobilindustrie – darunter 350-nm-CMOS, gemeinsame Werkzeugsätze und gemeinsame BEOL – bietet unser GaN-Angebot integrierte Qualität und deutlich niedrigere Einstiegshürden“, erklärt Michael Woittennek, CEO von X-FAB Dresden. „Nachdem wir über viele Jahre hinweg kundenspezifische Technologien entwickelt haben, öffnen wir nun unsere XG035 dMode-Technologie für allgemeine Prototyping-Projekte in unserer Fabrik in Dresden – im Herzen von Silicon Saxony. Die Flexibilität unseres 350-nm-Werkzeugsatzes ermöglicht es uns außerdem, schnell auf Serienproduktion umzustellen, was unseren Kunden einen schnellen und zuverlässigen Weg auf den Markt eröffnet.“
„Angesichts der sich wandelnden Landschaft der GaN-Anbieter positioniert sich X-FAB als engagierter GaN-Foundry-Partner“, fügte Luigi Di Capua, VP Product Marketing, hinzu. „Unsere 8-Zoll-GaN-on-Si-Plattform hilft Kunden, ihre Lieferkette zu sichern und ihre Designs mit Zuversicht zu skalieren.“
Ein PDK, das den Designprozess für Kunden vereinfacht und eine schnellere Einarbeitung ermöglicht, ist verfügbar. Darüber hinaus wird ab dem vierten Quartal 2025 ein öffentlicher MPW-Shuttle-Service angeboten, der es mehreren Kunden ermöglicht, einen einzigen Siliziumwafer für die Chipfertigung gemeinsam zu nutzen. Diese Schritte senken die Einstiegshürden für die Prototypenentwicklung und die Kleinserienfertigung weiter.
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Weiterführende Links
👉 www.xfab.com
Foto: X-FAB
