Fraunhofer IPMS: Hochvolt-CMOS-Backplane für sehr helle OLED-Mikrodisplays

Zahlreiche Anwendungen profitieren von der Bildqualität und hohen Helligkeiten von OLED-Mikrodisplays. So finden diese Displays Verwendung in Augmented-Reality (AR) -Brillen für lebendige und gut sichtbare Inhalte unter sehr unterschiedlichen Lichtverhältnissen oder in Virtual-Reality (VR)-Headsets für realistische und helle Bilder. Auch in militärischen Anwendungen werden sie für eine klare Sichtbarkeit von Kommandos und Lagehinweisen in militärischen Geräten unter extremen Bedingungen genutzt.

OLED gelten bei sehr hoher Helligkeit in rauen Umgebungen als eingeschränkt. Deshalb werden oft MikroLEDs als Alternative beworben, die Helligkeiten (Leuchtdichte) sogar im Bereich von einer Million cd/m² erreichen sollen. Allerdings haben MikroLEDs bei sehr hohen Pixeldichten, wie sie in hochauflösenden Mikrodisplays erforderlich sind, einen signifikanten Effizienzverlust. Das bedeutet, dass sie mit mehr als 1A/cm² betrieben werden müssen. Darüber hinaus ist diese Technologie noch nicht ausgereift, insbesondere für Vollfarbe. Im Gegensatz dazu liegt die Stromdichte für OLED bei langem Lebenszyklus-Betrieb typischerweise bei unter 100 mA/cm².

Durch mehrfaches Stapeln von OLED-Schichten übereinander können diese Einschränkungen jedoch stark verbessert werden. Die Stromdichte der einzelnen OLED-Schichten ist jedoch begrenzt, um eine angemessene Lebensdauer und Zuverlässigkeit zu gewährleisten. Allerdings erhöht das Stapeln von OLED-Schichten den Spannungsabfall und Swing über den OLED-Stapel. Nun wurde ein Hochvolt-CMOS-Backplane für Hochhelligkeits-OLED-Mikrodisplays entwickelt.

Dr. Uwe Vogel, Leiter „Mikrodisplays und Sensoren“ am Fraunhofer IPMS, erklärt: „Wir haben ein innovatives Pixelzellendesign entwickelt, das eine Spannungshub von über 10 Volt ermöglicht und somit in der Lage ist, mehrfach gestapelte, nach oben emittierende OLED-Schichten zu betreiben. Je nach Anzahl der gestapelten Einheiten kann das Vielfache der maximalen Emission erreicht werden, die mit einer hohen Stromeffizienz erzielt werden, während die Stromdichte konstant bleibt. Dieser Ansatz ermöglicht volle Farbmaximum-Helligkeiten von über 10.000 cd/m² bei gleichzeitiger Aufrechterhaltung von Lebensdauer und Zuverlässigkeit.“

Die Vorteile von OLED gegenüber MikroLEDs fallen ins Auge:

1. Reife Technologie: OLED-Technologie hat eine hohe Reife erreicht und es gibt bereits viele etablierte Produkte auf dem Markt. MikroLEDs sind noch nicht so weit entwickelt, insbesondere für die Darstellung von Vollfarbe.
2. Niedrigere Stromdichte: OLED können im typischen Betrieb mit einer Stromdichte von <100 mA/cm² betrieben werden, was ihnen eine höhere Effizienz und längere Lebensdauer ermöglicht. MikroLEDs hingegen benötigen oft über 1A/cm², was zu einem signifikanten Effizienzverlust führt.
3. Helligkeitserhöhung durch Stapelung: Durch die Möglichkeit, mehrere OLED-Schichten übereinander zu stapeln, kann die Helligkeit auf mehr als 10.000 cd/m² erhöht werden. Dies verbessert die Einsatzmöglichkeiten in hellen Umgebungen.

Zusammenfassend sind OLED aufgrund ihrer Reife, Effizienz und Farbdarstellung in vielen Anwendungen vorteilhaft, während bei MikroLEDs noch an der Technologie gearbeitet werden muss, um ähnliche Vorteile zu bieten.

Durch die Anwendung von mehrfach gestapelten OLED auf einer Hochvolt-CMOS-Backplane kann diese Helligkeit nun auf etwa 10.000 nits erweitert werden, was die Marktchancen für sehr helle OLED-Mikrodisplays deutlich erhöht.

Am Fraunhofer IPMS werden bereits seit vielen Jahren Backplanes für unterschiedliche Technologien und vor allem Mikrodisplays entwickelt. Am Institut wurde ein weltweit einzigartiges Entwicklungs-know-how erarbeitet, was die gesamte Prozesskette von der Machbarkeitsstudie bis zur Pilotfertigung (bei OLED-Mikrodisplays) umfasst. Die Wissenschaftler freuen sich, die neue Backplane-Technologie mit Industriepartnern auf den Markt zu bringen.

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Weiterführende Links

👉 www.ipms.fraunhofer.de 

Foto: Fraunhofer IPMS