Die APS™-Technologie wurde auf 300-Millimeter-Wafern der United Microelectronics Corporation (UMC) getestet und konnte den Pitch im Vergleich zu aktuellen Branchen-Benchmarks erfolgreich halbieren. Dieser bedeutende Fortschritt wurde vollständig ohne die teure und energieintensive EUV-Lithografie (Extreme Ultraviolet) erzielt.
Stattdessen nutzt APS™ fortschrittliche Ätztechniken, die die Nachhaltigkeit erheblich verbessern und den Energieverbrauch drastisch senken, ohne den Durchsatz zu beeinträchtigen. Frühere Demonstrationen des APS™-Prozesses, die durch das Intel Test Vehicle Program[1] validiert wurden, bestätigten sein Potenzial durch die Erzielung von Metallabständen von nur 25 Nanometern.
„Heute liefern wir einen weiteren Beweis dafür, dass der APS™-Prozess für führende Gießereien bahnbrechend sein kann. Dank UMC konnten wir unseren Prozess an Produktionswafern verifizieren, die in Mengen von Millionen Wafern pro Jahr versandt werden“, sagte Dr. Robin Athle, leitender Forscher bei AlixLabs. „Unsere Mission ist es, Geräte zu entwickeln, die es Unternehmen, die keinen Zugang zu EUV-Tools haben, ermöglichen, ihre Produktion auf 5 Nanometer und darunter zu verkleinern. Indem wir die Abhängigkeit von der EUV-Lithografie beseitigen, bieten wir der Industrie einen Weg zu einer nachhaltigeren und wirtschaftlich realisierbaren hochdichten Chipproduktion.“
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Weiterführende Links
👉 www.alixlabs.com
👉 www.alixlabs.com/2025/02/07/alixlabs-to-showcase-latest-aps-findings-at-spie-advanced-lithography-patterning/
Foto: AlixLabs
