Infineon: Infineon und Panasonic beschleunigen die Entwicklung der GaN-Technologie
Infineon Technologies und die Panasonic Corporation haben eine Vereinbarung für die gemeinsame Entwicklung und Herstellung der zweiten Generation (Gen2) ihrer bewährten Galliumnitrid-(GaN-)Technologie geschlossen, die mehr Leistungsdichte bietet. Die herausragende Leistung und Zuverlässigkeit in Kombination mit der Fähigkeit, 8-Zoll-GaN-on-Si-Wafer zu produzieren, unterstreichen den strategischen Anspruch von Infineon, den wachsenden Bedarf an GaN-Leistungshalbleitern zu decken. Entsprechend den Marktanforderungen wird Gen2 als 650-V-GaN-HEMT entwickelt. Die Bauelemente sind anwenderfreundlich und bieten ein besseres Preis-Leistungs-Verhältnis. Sie eignen sich unter anderem für Hoch- und Niedrigleistungs- SMPS-Anwendungen, erneuerbare Energien und Motorantriebsanwendungen.
Infineon Technologies und die Panasonic Corporation haben eine Vereinbarung für die gemeinsame Entwicklung und Herstellung der zweiten Generation (Gen2) ihrer bewährten Galliumnitrid-(GaN-)Technologie geschlossen, die mehr Leistungsdichte bietet. Die herausragende Leistung und Zuverlässigkeit in Kombination mit der Fähigkeit, 8-Zoll-GaN-on-Si-Wafer zu produzieren, unterstreichen den strategischen Anspruch von Infineon, den wachsenden Bedarf an GaN-Leistungshalbleitern zu decken. Entsprechend den Marktanforderungen wird Gen2 als 650-V-GaN-HEMT entwickelt. Die Bauelemente sind anwenderfreundlich und bieten ein besseres Preis-Leistungs-Verhältnis. Sie eignen sich unter anderem für Hoch- und Niedrigleistungs- SMPS-Anwendungen, erneuerbare Energien und Motorantriebsanwendungen.
Bei vielen Designs bietet Galliumnitrid (GaN) wesentliche Vorzüge gegenüber Silizium. Aufgrund des hervorragenden spezifischen, dynamischen Durchlasswiderstands und kleinerer Kapazitäten im Vergleich zu Silizium-MOSFETs eignen sich GaN-HEMTs für Hochgeschwindigkeits-Schaltvorgänge. Die daraus resultierenden Stromeinsparungen und die Senkung der Gesamtsystemkosten, der Betrieb bei höheren Frequenzen, die verbesserte Leistungsdichte sowie die Gesamtsystemeffizienz eröffnet Entwicklungsingenieuren attraktive Optionen.
"Neben den gleichen hohen Zuverlässigkeitsstandards wie für Gen1 profitieren die Kunden der neuen Generation von einer noch einfacheren Steuerung des Transistors sowie einer wesentlich besseren Kostenposition durch die Umstellung auf eine 8-Zoll-Waferfertigung," sagt Andreas Urschitz, Divisionspräsident Power and Sensor Systems bei Infineon. Wie die gemeinsam entwickelten Gen1-Bauelemente mit den Bezeichnungen Infineon CoolGaN™ und Panasonic X-GaN™ basiert auch die zweite Generation auf der selbstsperrenden GaN-on-Silicon-Transistorstruktur. Dies, zusammen mit der unerreichten Robustheit der Hybrid-Drain-Embedded-Gate-Injection-Transistor-(HD-GIT-)Struktur machen diese Komponenten zum Produkt der Wahl und zu einer der langfristig zuverlässigsten Lösungen auf dem Markt.
"Wir freuen uns über die Erweiterung unserer Partnerschaft und Zusammenarbeit mit Infineon bei GaN-Komponenten. Im Rahmen des gemeinsamen Konzepts können wir Gen1- und Gen2-Bauteile mit hoher Qualität und auf der Basis neuester innovativer Entwicklungen anwenden, so Tetsuzo Ueda, Associate Director of Engineering Division in der Industrial Solutions Company der Panasonic Corporation."
