X-FAB und das IHP – Leibniz-Institut für Hochleistungsmikroelektronik haben eine bedeutende industriell-akademische Partnerschaft angekündigt. Ziel der Kooperation, die die Kompetenz von X-FAB in der Halbleiterfertigung mit der Expertise des IHP in der drahtlosen Kommunikation verbindet, ist der Austausch von Wissen und die Schaffung von für beide Seiten vorteilhaften technischen Synergien.
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X-FAB und das IHP – Leibniz-Institut für Hochleistungsmikroelektronik haben eine bedeutende industriell-akademische Partnerschaft angekündigt. Ziel der Kooperation, die die Kompetenz von X-FAB in der Halbleiterfertigung mit der Expertise des IHP in der drahtlosen Kommunikation verbindet, ist der Austausch von Wissen und die Schaffung von für beide Seiten vorteilhaften technischen Synergien.
Die aktiven Bauelemente von IHP werden direkt in das Backend of Line (BEOL) von X-FABs 130-nm-XR013-RF-SOI-Prozess mit Cu- und Dick-Cu-basierter Metallisierung integriert, zusammen mit leistungsstarken passiven Elementen wie Induktivitäten und Transformatoren. Diese Integration bedeutet, dass mit einer breiten Palette von Konzepten für drahtlose Systeme der nächsten Generation experimentiert werden kann.
Ein weiterer Schwerpunkt der gemeinsamen Arbeit ist die Entwicklung von fortschrittlichen SiGe-BiCMOS-Technologien. Die Grundlage dafür bilden die SiGe-Heterojunction-Bipolartransistoren des IHP. Diese bieten starke Leistungsparameter mit fT/fmax-Werten von bis zu 250/340 GHz für SG13S-Cu und bis zu 300/500 GHz für SG13G2-Cu. Die verwendeten 3 µm dicken, verlustarmen Kupfer-Interconnects werden sich ebenfalls als wertvoll für die Steigerung der HF-Leistung erweisen.
Sowohl für die RF-SOI- als auch für die SiGe-BiCMOS-Technologien werden über IHP und EUROPRACTICE Prototyping-Services angeboten. Für die von IHP und X-FAB entwickelten Technologien ergeben sich Chancen in Bezug auf Optoelektronik und 5G-Mobilfunksysteme sowie für innovative Radar-Implementierungen.
"SiGe BiCMOS bleibt eine attraktive Perspektive für eine Reihe von drahtlosen Anwendungen, einschließlich 5G, weil es die Integration von Hochleistungs-HF auf einer Silizium-basierten Plattform ermöglicht. Sowohl das IHP als auch X-FAB erkennen hier das große Potenzial", sagte Dr. Greg U’Ren, Director of RF Technology bei X-FAB. "Die Technologien, an denen wir arbeiten, sind das Ergebnis einer synergetischen Beziehung, die die jeweiligen Stärken der beiden Partner nutzt."
Prof. Gerhard Kahmen, wissenschaftlicher Direktor am IHP, fügte hinzu: "Wir freuen uns sehr über die Zusammenarbeit mit X-FAB als einem der führenden Halbleiterhersteller in Europa. Diese Partnerschaft ermöglicht es uns, erstklassige Forschung in kommerzielle Anwendungen zu übertragen und damit den Grundstein für die nächste Generation von Hochleistungs-HF-Systemen zu legen, wie z.B. 400G-Datenkommunikation, 60-300 GHz-Radare und Sub-THz-Bildgebung."
Über IHP
Das IHP ist ein Institut der Leibniz-Gemeinschaft und das Europäische Forschungs- und Innovationszentrum für drahtlose Kommunikationstechnologien. Es betreibt Forschung und Entwicklung von siliziumbasierten Systemen und Ultrahochfrequenzschaltungen und -technologien einschließlich neuer Materialien. Darüber hinaus entwickelt es innovative Lösungen für Anwendungsbereiche wie drahtlose und breitbandige Kommunikation, Sicherheit, Medizintechnik, Industrie 4.0, Automobilindustrie und Luft- und Raumfahrt. Das IHP beschäftigt rund 350 Mitarbeiter. Es betreibt eine Pilotlinie für technologische Entwicklungen und die Vorbereitung von Hochgeschwindigkeitsschaltungen mit 0,13/0,25 µm BiCMOS-Technologien, die sich in einem 1500 m² großen Reinraum der Klasse 3 nach DIN EN ISO 14644-1 befindet.
Über X-FAB
X-FAB ist die führende Analog/Mixed-Signal- und MEMS-Foundry-Gruppe, die Silizium-Wafer für Automobil-, Industrie-, Consumer-, Medizin- und andere Anwendungen herstellt. Kunden weltweit profitieren von höchsten Qualitätsstandards, Fertigungsexzellenz und innovativen Lösungen, indem sie X-FABs modulare CMOS- und SOI-Prozesse in Geometrien von 1,0 µm bis 130 nm sowie die speziellen Siliziumkarbid- und MEMS-Langzeitprozesse nutzen. X-FABs analog-digitale integrierte Schaltungen (Mixed-Signal-ICs), Sensoren und mikroelektromechanische Systeme (MEMS) werden in sechs Produktionsstätten in Deutschland, Frankreich, Malaysia und den USA hergestellt. X-FAB beschäftigt weltweit rund 3.800 Mitarbeiter.
Kontakt:
X-FAB
Thomas Hartung
VP Vertrieb & Unternehmensmarketing
X-FAB Silizium-Gießereien
Tel.: +49-361-427-6160
E-Mail: thomas.hartung(at)xfab.com
IHP
Dr. René Scholz
Teamleiter Forschung & Prototyping Service
Tel.: +49-335-562-5647
E-Mail: scholz(at)ihp-microelectronics.de
Akronyme:
BiCMOS: Bipolarer komplementärer Metall-Oxid-Halbleiter
RF-SOI: Hochfrequenz-Silizium-auf-Isolator
SiGe: Silizium-Germanium
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