Mikroelektronik

Okmetic: Beteiligung an WIBASE – Förderung der Wide-Bandgap-Leistungselektronik

25. Februar 2026. WIBASE, „Wide Bandgap Semiconductor Power Electronics“, ist eine finnische Initiative zur Förderung von Wide-Bandgap-Halbleitertechnologien für die Leistungstechnik der nächsten Generation. Das Projekt baut nationale Kompetenzen in den Bereichen Wide-Bandgap-Geräteverarbeitung, Prototyping, Integration, Verpackung, Testen und Lebensdauermodellierung auf, um den Übergang zu einer effizienteren und nachhaltigeren Energieumwandlung zu unterstützen.

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Das Konsortium wird vom VTT Technical Research Centre koordiniert und umfasst zehn Partner, darunter sechs Unternehmen und vier führende finnische Forschungseinrichtungen. Die Industriepartner decken die gesamte Wertschöpfungskette ab, von fortschrittlichen Materialien, Dünnschicht-Know-how und technischen Siliziumsubstraten bis hin zu Leistungselektronikanwendungen.

Das dreijährige Projekt befasst sich mit den wichtigsten Herausforderungen, die die Einführung von Wide Bandgap-Technologien behindern, darunter die Zuverlässigkeit von Bauelementen und Modulen, Materialfehler, Wärmemanagement und Hochtemperatur-Verbindungen. WIBASE fördert die enge Zusammenarbeit mit führenden internationalen Forschungsgruppen und unterstützt die Entwicklung von Technologien, Know-how und geistigem Eigentum im Bereich der Wide Bandgap-Leistungstechnologien. Das Projekt wird von Business Finland finanziert.

Die Rolle von Siliziumwafern

GaN-on-Si ist eine wichtige Breitbandlücken-Technologie, die die hohe Elektronenbeweglichkeit, thermische Stabilität und Hochspannungsfähigkeit von Galliumnitrid mit der Skalierbarkeit und Kosteneffizienz von Silizium verbindet. Siliziumsubstrate ermöglichen große Wafergrößen, eine stabile Versorgung und eine zuverlässige Massenfertigung. GaN-on-Si bietet außerdem potenzielle Vorteile hinsichtlich Lebenszyklus und Energieeffizienz, die in den Bereichen Elektromobilität, erneuerbare Energien und industrielle Leistungselektronik geschätzt werden.

Okmetic arbeitet mit WIBASE-Partnern zusammen, um optimierte Siliziumsubstrate für GaN-Leistungsbauelemente zu entwickeln und zu charakterisieren. Auf der Grundlage unserer Erfahrung in der Lieferung von Power-GaN-Substratwafern wollen wir eine zuverlässige, gut kontrollierte Siliziumplattform bereitstellen, die die Leistungs- und Herstellbarkeitsanforderungen der Breitband-Leistungstechnologien der nächsten Generation erfüllt.

Projektergebnisse als Triebkraft für Technologien der nächsten Generation

WIBASE wird zum Aufbau eines Kompetenzclusters im Bereich der Leistungselektronik mit großer Bandlücke beitragen. Es unterstützt die technologische Selbstständigkeit Finnlands, stärkt die Schaffung von geistigem Eigentum und verbessert die Wettbewerbsfähigkeit der Halbleiter- und Leistungselektronikindustrie. Die Ergebnisse werden durch verbesserte Materialien, fortschrittliche Siliziumsubstrate und Fertigungs-Know-how auch dem globalen Leistungsbauelementesektor zugutekommen.

Zu den finnischen Partnern des WIBASE-Projekts gehören Okmetic, VTT, die Aalto-Universität, die LUT-Universität und die Universität Helsinki, ABB, Picosun, Danfoss Drives, Comptek Solutions und Kempower.

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Weiterführende Links

👉 www.okmetic.com  

Foto: pixabay

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