„Wir freuen uns, gemeinsam mit ROHM die Etablierung von SiC-Leistungsschaltern im Markt weiter zu beschleunigen“, sagt Dr. Peter Wawer, Division President Green Industrial Power bei Infineon. „Unsere Zusammenarbeit bietet Kunden mehr Auswahl und Flexibilität bei Design und Beschaffung und ermöglicht die Entwicklung energieeffizienterer Anwendungen, die die Dekarbonisierung weiter vorantreiben.“
„ROHM setzt sich dafür ein, seinen Kunden bestmögliche Lösungen zu bieten. Unsere Zusammenarbeit mit Infineon ist ein wichtiger Schritt auf diesem Weg, da sie die Lösungsmöglichkeiten erweitert“, sagt Dr. Kazuhide Ino, Mitglied des Vorstands, Managing Executive Officer, verantwortlich für das Power Devices Geschäft bei ROHM. „Gemeinsam können wir Innovationen vorantreiben, Komplexität reduzieren, die Kundenzufriedenheit steigern und so die Zukunft der Leistungselektronik mitgestalten.“
Im Rahmen der Vereinbarung übernimmt ROHM die innovative Top-Side-Cooling-Plattform für SiC von Infineon, einschließlich der TOLT, D-DPAK, Q-DPAK, Q-DPAK dual und H-DPAK-Gehäuse. Die Top-Side-Cooling-Plattform von Infineon bietet zahlreiche Vorteile, darunter eine Standardhöhe von 2,3 mm für alle Gehäuse. Das vereinfacht das Design und senkt die Kühlkosten, ermöglicht eine effizientere Platzausnutzung auf der Leiterplatte und eine bis zu doppelt so hohe Leistungsdichte.
Gleichzeitig wird Infineon basierend auf dem DOT-247-Gehäuse von ROHM mit SiC-Halbbrückenkonfiguration ein kompatibles Produkt entwickeln. Damit erweitert Infineon sein kürzlich angekündigtes Double-TO-247-IGBT-Portfolio um SiC-Halbbrückenlösungen. Das fortschrittliche DOT-247-Gehäuse von ROHM bietet eine höhere Leistungsdichte und reduziert den Montageaufwand im Vergleich zu Standard-Einzelgehäusen. Durch die einzigartige Struktur, die zwei TO-247-Gehäuse integriert, lassen sich der Wärmewiderstand um etwa 15 Prozent und die Induktivität um 50 Prozent im Vergleich zum TO-247 reduzieren. Diese Vorteile ermöglichen eine 2,3-fache Leistungsdichte.
Infineon und ROHM planen, ihre Zusammenarbeit künftig auf weitere Gehäuse für Silizium- und Wide-Bandgap-Leistungshalbleitertechnologien wie SiC und Galliumnitrid (GaN) auszuweiten. Damit wollen die beiden Unternehmen ihre Kooperation weiter stärken und Kunden eine noch breitere Auswahl an Lösungen und Bezugsquellen bieten.
SiC-basierte Halbleiter verbessern Hochleistungsanwendungen, indem sie Strom noch effizienter schalten, eine hohe Zuverlässigkeit und Robustheit unter extremen Bedingungen bieten und kompaktere Designs ermöglichen. Mit den SiC-Produkten von Infineon und ROHM können Kunden energieeffiziente Lösungen entwickeln und die Leistungsdichte in Anwendungen wie Ladegeräten für Elektrofahrzeuge, erneuerbaren Energiesystemen und KI-Rechenzentren erhöhen.
Über ROHM
ROHM, ein führender Hersteller von Halbleitern und elektronischen Komponenten, wurde 1958 gegründet. Vom Automobil- und Industrieausrüstungsmarkt bis hin zum Konsum- und Kommunikationssektor liefert ROHM über ein weltweites Vertriebs- und Entwicklungsnetz ICs, diskrete Bauelemente und elektronische Komponenten von höchster Qualität und Zuverlässigkeit. Die Stärken von ROHM im Analog- und Leistungsmarkt ermöglichen es uns, optimierte Lösungen für ganze Systeme anzubieten, die Peripheriekomponenten (z. B. Transistoren, Dioden, Widerstände) mit den neuesten SiC-Leistungsbauelementen sowie Treiber-ICs kombinieren, um deren Leistung zu maximieren.
Über Infineon
Die Infineon Technologies AG ist ein weltweit führender Anbieter von Halbleiterlösungen für Power Systems und das Internet der Dinge (IoT). Mit seinen Produkten und Lösungen treibt Infineon die Dekarbonisierung und Digitalisierung voran. Das Unternehmen hat weltweit rund 58.060 Beschäftigte (Ende September 2024) und erzielte im Geschäftsjahr 2024 (Ende September) einen Umsatz von rund 15 Milliarden Euro. Infineon ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International unter dem Symbol „IFNNY“ notiert.
– – – – –
Weiterführende Links
👉 www.infineon.com
👉 www.rohm.com
Foto: Infineon
