Plasmaschulung „Deep Reactive Ion Etching“

Im Frühling dieses Jahres findet die Plasma-Schulung „Deep Reactive Ion Etching“ in Berlin statt. Der Umfang hat sich dank vieler Weiterentwicklungen und neuer Erkenntnisse weiter erhöht. So wurden die Schulungsinhalte nach einer ausführlichen Literaturrecherche auf den neuesten Stand gebracht. Das Ziel der Schulung ist, den Interressenten unser Hintergrundwissen über das Silizium-Tiefätzen zu vermitteln. Sie beschäftigt sich auch mit Themen wie Gasverteilung und schnellen MFCs und enthält auch eigene Modellrechnungen und eine Übersicht über prozesstaugliche Diagnostik. Außerdem werden die wichtigsten Tools verglichen und auch die modellbasierte Reduktion des SF6-Verbrauchs diskutiert.

Der Schulungskurs „Deep Reactive Ion Etching“ beinhaltet folgende Themen:

1. Deep Reactive Ion Etching: Fields of Application

2. Main Approaches for Deep Silicon Etch

• Cryogenic Process
  
• Bosch Process (Overview)
  

3. Dynamics in Process Control Systems

• Fundamentals
  
• Application Example: Pressure Control
  
• Data Quality
  

4. Answering the Challenges of Bosch Process

• Gas Flow Control at the Wafer Surface
  
• Wafer Temperature Uniformity Control: Multi-zone ESC
  
• Specific RF Design
  
• Plasma Physics Aspects
  

5. Bosch Process Detailed

• Process Chemistry
  
• Model for Chemistry and Transport
  
• Interactions between Plasma and Chamber Walls
  
• Aspect Ratio Related Process Properties
  
• Diagnostics and Process Control
  
• Process Issues and Dependencies

6. Continuous Etch Process

7. Dicing Process

8. Dry Clean

9. Commercially Available Tools

• Overview
  
• Lam Research
•  DSiE and Syndion
• AMEC Primo TSV
• SPTS
• Other Bosch Tools