Alumni-Event: Fachvortrag „Von UV zu EUV – Der Weg von ZEISS an die Weltspitze der Lithografie-Optik“

Die Alumni Gruppe von Silicon Saxony lädt herzlich zu einem besonderen Fachabend ein: Am 23. Juni 2026 begrüßen wir Bernhard Kneer, Leiter des Bereichs Product Systems Engineering bei der Carl Zeiss SMT GmbH in Oberkochen. Er wird in einem ausführlichen Vortrag die technologische Entwicklung der Lithografie Optik von der UV zur EUV Ära nachzeichnen und zentrale Innovationspfade der Halbleiterindustrie beleuchten.

Die Veranstaltung beginnt um 17:00 Uhr mit einer Begrüßung durch Ralf Pulla von unserem Gastgeber den Technischen Sammlungen Dresden. Danach folgt Herr Kneers Vortrag und dauert voraussichtlich 90 Minuten. Im Anschluss besteht die Möglichkeit, Fragen an den Referenten zu richten und sich mit anderen Teilnehmenden auszutauschen.

Die Veranstaltung richtet sich an Ingenieurinnen und Ingenieure, Fachleute aus der Halbleiter und Optikbranche sowie alle technisch Interessierten, die sich mit Lithografie, Fertigungstechnologien und Zukunftsperspektiven der Chipproduktion befassen.

Wir freuen uns auf Ihre Teilnahme! 

Jetzt anmelden und dabei sein: Fachvortrag „Von UV zu EUV – Der Weg von ZEISS an die Weltspitze der Lithografie Optik“ 📅 23.06.2026 · 17:00 Uhr · Technische Sammlungen Dresden

Beschreibung des Vortrags

Die Photolithographie ist der zentrale Schlüsselprozess der Mikrochipfertigung und ermöglicht die Herstellung hochintegrierter Schaltkreise mit Nanometerpräzision. Seit nahezu sechs Jahrzehnten folgt die Entwicklung integrierter Schaltungen dem Moore’sches Gesetz, das eine Verdopplung der Integrationsdichte sowie eine gleichzeitige Senkung der Kosten pro Transistor etwa im Zweijahresrhythmus beschreibt. Sie wird maßgeblich durch Fortschritte in der Strukturauflösung der Lithographie vorangetrieben. Mit der aktuellen Serienfertigung im 3-nm-Technologieknoten und der bevorstehenden Einführung des 2-nm-Knotens erreicht sie eine neue Dimension.

Die Auflösungsgrenze optischer Lithographiesysteme wird fundamental durch die Wellenlänge des eingesetzten Lichts und die Numerische Apertur des Optiksystems bestimmt. Entsprechend wurde die Auflösung durch die schrittweise Reduzierung der Wellenlänge beginnend mit Quecksilberdampflampen (436nm, 365nm) über die laserbasierte DUV- Strahlung (248nm, 193nm) bis hin zur EUV-Strahlung (13.5nm) gesteigert, wobei pro Wellenlänge stufenweise jeweils auch die Numerische Apertur erhöht wurde. Der Vortrag gibt einen Überblick über diese Entwicklung und beleuchtet die zugrunde liegenden Innovationspfade.

Die EUV-Lithographie stellt dabei die bislang neueste Innovation dar. Sie ist bereits in der Massenfertigung moderner Hochleistungschips etabliert. Aufgrund der kurzen Wellenlänge erfordert sie ausschließlich reflektive optische Elemente, die vollständig im Vakuum betrieben werden müssen. Das gilt für die Kollektor-Optik, das Beleuchtungssystem als auch für das Projektionsobjektiv. Die begrenzte Reflektivität der Spiegel erfordert eine Minimierung der Anzahl optischer Elemente und damit im Vergleich zur klassischen DUV-Lithographie grundlegend neue Systemarchitekturen.

Mit der gegenwärtig in Einführung befindlichen sog. High-NA-EUV-Lithographie wird eine Steigerung der Auflösung auf etwa 8nm erzielt. Die erhöhte numerische Apertur erfordert optische Systeme mit erheblich vergrößerter Geometrie und vergrößerten Spiegeln, Anforderungen an die räumliche Positionierung derselben im sub-nm-Bereich und in Konsequenz extremen Anforderungen an Fertigung und Metrologie. Parallel zur Optik-Systementwicklung muss hierfür eine neue industrielle Fertigungsinfrastruktur entwickelt werden, die entsprechende Prozessanlagen sowie Metrologie-Systeme umfasst.

Der Vortrag diskutiert die physikalischen Grundlagen, technologischen Herausforderungen und zukünftigen Perspektiven der optischen Lithographie als treibende Kraft der Halbleiterinnovation.

Kurzbiografie Dr. Bernhard Kneer

Bernhard Kneer ist Leiter des Bereichs Product Systems Engineering bei der Carl Zeiss SMT GmbH in Oberkochen und damit verantwortlich für die Entwicklung der lithografischen Optiksysteme. Nach seiner Promotion in Physik mit Schwerpunkt Quantenoptik an der Universität Ulm im Jahr 1999 begann er seine Karriere bei ZEISS im Optikdesign. Anschießend wechselte er ins sog. Systems Engineering optischer Systeme. Als Lead Systems Engineer leitete er die Entwicklung des Optiksystems Starlith® 1700i – der weltweit ersten Immersions-Lithografieoptik mit einer numerischen Apertur signifikant größer als 1. Anschließend verantwortete er die Entwicklung der High-NA-EUV-Lithografieoptik, ein entscheidender Schritt für die neueste Generation der Halbleiterfertigung.

Für die Entwicklung der Immersionsoptik wurde Bernhard Kneer 2006 im Team mit dem Deutschen Innovationspreis ausgezeichnet. Seine Arbeit für die Bereitstellung der High-NA-EUV-Lithografieoptik trug maßgeblich dazu bei, dass ZEISS SMT 2020 mit dem Deutschen Zukunftspreis des Bundespräsidenten geehrt wurde.