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Fraunhofer-Institut für Zuverlässigkeit und Mikrointegration – IZM ASSID
Forschungseinrichtung
Zielmärkte
Elektronik·Ernährung·Infrastruktur·Life Science·Mobilität
Branchen
Forschung & Entwicklung
Portfolio
3D Wafer-Level-Packaging·Customer-specific prototyping·Elektronik·Halbleiterindustrie·Heterogeneous 3D Integration·Institute·Medizintechnik / Pharma·Mikro- / Nanoelektronik·Smart Systems
Zertifikate
Kontakt
Ringstraße 12
01468 Moritzburg
01468 Moritzburg
+49/351/795572-0
Ansprechpartner
Dr. Manuela Junghähnel
Head of Fraunhofer IZM ASSID
Über das Mitglied
Das Fraunhofer IZMs Zentrum „All Silicon System Integration Center Dresden - ASSID“ wurde 2010 gegründet und ist integraler Bestandteil des Fraunhofer IZMs für Wafer Level System Packaging und Systemintegration. Das IZM-ASSID betreibt eine hochmoderne 300mm-Prozesslinie für die 3D-Wafer-Level-Systemintegration auf Basis der Cu-Through Silicon Via-Technologie. Bestandteile der Linie sind einzelne Prozessmodule für die TSV-Bildung, die TSV-Nachbearbeitung sowie die Montage und das 3D-Stacking. Die Prozesslinie ermöglicht eine anwendungsorientierte Entwicklung von 3D-Wafer-Level-Prozessen sowie die Qualifizierung und Prototypenfertigung für 3D-Wafer-Level-Systeme in Gehäusen. Typische Anwendungsfelder sind High Performance & Quantum Computing, Edge Sensor Systems, z.B.
3D-Assembly/Bumping
3D-Assembly and Interconnection Technologies
- Evaluation of die-to-wafer (D2W) and wafer-to-wafer (W2W) bonding for 3D stack formation
- 3D IC assembly with high-density interconnects (> 1000 I/O) and ultra-fine pitch (< 50 μm)
- 3D IC assembly with thin and ultra thin Chips (20 –150 μm)
Heterogene 3D-Systemintegration, 300 mm
Das Center »All Silicon System Integration Center Dresden« (ASSID) des Fraunhofer IZM wurde im Jahre 2010 eröffnet und ist integrierter Bestandteil der Wafer-Level-Packaging- und Systemintegration-Aktivitäten des Fraunhofer IZM. Das Fraunhofer IZM-ASSID verfügt über eine dem neusten Stand der Technik entsprechende, hochmoderne 300 mm-Technologielinie für die 3D-Wafer-Level-Systemintegration auf der Basis der Kupfer-Through-Silicon-Via (Cu-TSV)-Technologie. Bestandteile der Linie sind sowohl einzelne Prozessmodule für die TSV-Formierung, für das Post-TSV-Processing sowie das Vereinzeln, das Assembly und die 3D Stack Formierung. Die Konzeption der Linie erlaubt sowohl eine anwendungsbezogene Entwicklung von Prozessen als auch die Qualifikation und Prototypenfertigung für 3D-Wafer-Level-System in z.B. Packages und CSPs.
Das IZM-ASSID ist eingebunden in das Netzwerk des SiliconSaxony e.V. und kooperiert auf dem Gebiet der 3D-Integration sehr eng mit Anwendern, Anlagenherstellern und Materialzulieferern sowie unterschiedlichen Organisationen, Netzwerken und Clustern (u. a. ITRS, Sematech, Semi, IEEE). Darüber hinaus bestehen enge Kooperationen mit Fraunhofer-Instituten und anderen wissenschaftlich-technischen Einrichtungen im Freistaat Sachsen.
TSV-Formation
Through Silicon Via (TSV) Formation
- High-density TSV technology for advanced system performance
- Via-middle/Via-last process integration
- Cu-TSV filling using high-speed ECD
- TSV post processing on wafer front and back side
- Evaluation und validation of new materials for TSV filling and isolation
- High yield TSV process integration
TSV-Interposer
TSV Interposer with high-density Multi-Layer Metallization
- Silicon Interposer with high-density Cu-TSV
- Both sided high-density multi layer Cu-wiring
- Integration of active and passive devices
- Compatible interconnects for 3D stacking of silicon components for wafer level assembly (D2W, W2W) and package/board-assembly
