SENTECH Instruments GmbH

Das SENTECH SI 500 ICP-RIE-System steht für modernste ICP-Prozesstechnologie in Forschung und Industrie. Das System umfasst die ICP-Plasmaquelle PTSA, eine dynamisch temperaturgeregelte Substratelektrode, ein vollständig geregeltes Vakuumsystem sowie eine besonders benutzerfreundliche Bedienoberfläche. Dank seines flexiblen und modularen Aufbaus eignet sich das Plasmaätzsystem für die Prozessierung einer Vielzahl von Materialien. Dazu gehören unter anderem III-V- und II-VI-Verbindungshalbleiter (GaAs, InP, GaN, InSb), Dielektrika, Quarz, Glas, Silizium, Siliziumverbindungen (SiC, SiGe) sowie Metalle.
Das vielseitige System lässt sich für unterschiedlichste Prozessanforderungen konfigurieren, darunter ALE, Kryo-Ätzen, DRIE und RIE Plus, und ist sowohl für die Bearbeitung mehrerer Wafer als auch für großflächige Substrate geeignet.

Das SENTECH SI 500 D ICPECVD-System repräsentiert den neuesten Stand der Technik für die induktiv gekoppelte Plasma-(ICP-)Prozessierung in Forschung und Industrie zur plasmaunterstützten chemischen Gasphasenabscheidung von dielektrischen Schichten, a-Si, SiC und weiteren Materialien. Das System umfasst die ICP-Plasmaquelle PTSA, eine dynamisch temperaturgeregelte Substratelektrode sowie ein vollständig geregeltes Vakuumsystem.
Eine große Bandbreite an Substraten von 100-mm-Wafern bis hin zu 200-mm-Wafern sowie Substrate auf Trägern kann über die flexible, in das SENTECH SI 500 D integrierte Load-Lock-Einheit gehandhabt werden. Die Single-Wafer-Vakuum-Load-Lock und die mechanische Substratklemmung gewährleisten stabile Prozessbedingungen und ermöglichen einen unkomplizierten Wechsel der Prozesse.

SENTECH ALD-Systeme ermöglichen sowohl thermische als auch plasmaunterstützte Prozesse. Unsere ALD-Systeme können für die Abscheidung von Oxiden, Nitriden und 2D-Materialien konfiguriert werden. Auch 3D-Strukturen lassen sich homogen und konform beschichten. Mit ALD, PECVD und ICPECVD bietet SENTECH Plasmaabscheidungstechnologie zur Herstellung von Schichten von der Nanometerskala bis hin zu mehreren Mikrometern.
Die In-situ-Diagnostik durch den AL Real Time Monitor ermöglicht eine extrem hochauflösende Beobachtung einzelner ALD-Zyklen. Die Vorteile liegen in der Bestätigung des ALD-Regimes, der Verkürzung der Prozesszeiten sowie der Senkung der Gesamtbetriebskosten. Auch spektrale Ellipsometrie steht als In-situ-Diagnostik zur Verfügung und bietet spezifische Vorteile für unsere Atomic-Layer-Deposition-Systeme.

SENTECH Cluster-Systeme bestehen aus Plasmaätz- und/oder Depositionsmodulen, einer Transferkammer sowie einem Vakuum-Load-Lock oder einer Kassettenstation. Transferkammern einschließlich Handhabungsroboter sind mit drei bis sechs Ports verfügbar. Zur Steigerung des Durchsatzes können bis zu zwei Kassettenstationen eingesetzt werden. SENTECH Cluster-Konfigurationen können eine Vielzahl von Substraten verarbeiten – von 100 mm Wafer bis hin zu 200 mm Wafern. Die Systeme bieten unterschiedliche Automatisierungsstufen, angefangen vom vakuumgestützten Kassetten-Loading bis hin zu einer Einzelprozesskammer für Cluster-Konfigurationen mit bis zu sechs Ports. Verschiedene Ätz- und Depositionsmodule gewährleisten dabei hohe Flexibilität und hohen Durchsatz. Alle SENTECH Cluster-Systeme werden durch moderne Hardware und die SIA-Betriebssoftware gesteuert, basierend auf einer Client-Server-Architektur. Ein bewährter, zuverlässiger programmierbarer Logikcontroller (PLC) sorgt für die Echtzeitsteuerung aller Komponenten.

Das SENTECH SENDURO accuva10 ist ein vollautomatisches Werkzeug zur Qualitätskontrolle von Dünnschichten, untergebracht auf einer kompakten Fläche von über 2 m², wodurch es sich ideal für Forschungs- oder Produktionsreinräume eignet. Es dient der Qualitätskontrolle in der Fertigung von Sensoren, RF-/Leistungsbauelementen, SAW-Filtern und MEMS. Das Werkzeug liefert zuverlässige und präzise Messungen von Dünnschichtstapeln mittels spektroskopischer Reflektometrie und Ellipsometrie. Wafer werden aus Standardkassetten geladen, und vorgefertigte Rezepte führen die Qualitätskontrollmessungen automatisch durch. Das System ist darauf ausgelegt, Schichtdicken zu messen, Abscheideprozesse durch die Bestimmung von Brechungsindizes von Dünnschichten zu überwachen und die Oberflächenanpassung für Filter vorzubereiten.
Das System bietet flexible Konfigurationsmöglichkeiten, um die Anforderungen der Produktionskontrolle und Qualitätsprüfung zu erfüllen. Das Werkzeug kann mit µ-Spot-Messungen in Reflektometrie und Ellipsometrie sowie Pattern Recognition ausgestattet werden, um präzise Messorte zu bestimmen. Alle Messungen können zusätzlich mit der Edge-Grip-Technologie kombiniert werden.

Der SENTECH SENresearch 4.0 nutzt schnelle FTIR-Ellipsometrie im NIR-Bereich bis zu 2.500 nm bzw. 3.500 nm. Das System bietet den größten spektralen Bereich, das beste Signal-Rausch-Verhältnis und die höchst wählbare spektrale Auflösung. Siliziumfilme mit einer Dicke von bis zu 200 µm können präzise gemessen werden. Die Messgeschwindigkeit der FTIR-Ellipsometrie entspricht der von Diode-Array-Konfigurationen, die ebenfalls bis 1.700 nm auswählbar sind.