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Ferroelectric Memory GmbH
Kleine Unternehmen (<50 Mitarbeiter:innen oder <10 Mio. Jahresumsatz)
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Elektronik
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Elektronik··ferroelectric HfO2 technology·Halbleiterindustrie·IC-Design·Mikro- / Nanoelektronik
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01099 Dresden
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FMC - The Ferroelectric Memory Company löst eine der wichtigsten Hardware-Herausforderungen im Zeitalter des Internet-of-Things. Sowohl Fabless-Unternehmen als auch Halbleiterhersteller sind heutzutage auf der Suche nach eingebetteten nichtflüchtigen Speicherlösungen (eNVM), die es Produkten wie Mikrocontrollern (MCU) ermöglichen, dem Mooreschen Gesetz zu folgen. Herkömmliche eNVM-Lösungen wie eFlash sind jedoch nicht in der Lage, kosteneffiziente Lösungen zu bieten, die im Zeitalter des IoT so dringend benötigt werden.
FMC vermarktet eine bahnbrechende Materialinnovation, die dieses Problem für aktuelle und zukünftige Technologieknoten lösen wird, nämlich eNVM auf der Basis von ferroelektrischem Hafniumoxid (FE-HfO2). Der unerwartete physikalische Effekt der Ferroelektrizität in HfO2 ermöglicht die Umwandlung klassischer High-K-Metal-Gate-Transistoren (HKMG) in nichtflüchtige ferroelektrische Feldeffekttransistoren (FeFET). Auf diese Weise können MCUs leicht von z. B. 65 nm auf 28 nm und darüber hinaus skaliert werden, was enorme Vorteile für das Gesamtsystem bietet: SoC-Kostenreduzierung um ca. 80 %, Reduzierung der Schreibenergie pro Bit um den Faktor 1000 und ein Gesamtleistungsgewinn des Systems von ca. 70 % durch den Übergang zu fortgeschrittenen Prozessknoten. Aufgrund der engen Beziehung zwischen FeFET- und CMOS-Basistechnologie steht der Anwendung der FMC-Technologie auf Spitzentechnologieknoten wie 22 nm FDSOI, 1X nm FinFET und darüber hinaus nichts im Wege.
FMC vermarktet eine bahnbrechende Materialinnovation, die dieses Problem für aktuelle und zukünftige Technologieknoten lösen wird, nämlich eNVM auf der Basis von ferroelektrischem Hafniumoxid (FE-HfO2). Der unerwartete physikalische Effekt der Ferroelektrizität in HfO2 ermöglicht die Umwandlung klassischer High-K-Metal-Gate-Transistoren (HKMG) in nichtflüchtige ferroelektrische Feldeffekttransistoren (FeFET). Auf diese Weise können MCUs leicht von z. B. 65 nm auf 28 nm und darüber hinaus skaliert werden, was enorme Vorteile für das Gesamtsystem bietet: SoC-Kostenreduzierung um ca. 80 %, Reduzierung der Schreibenergie pro Bit um den Faktor 1000 und ein Gesamtleistungsgewinn des Systems von ca. 70 % durch den Übergang zu fortgeschrittenen Prozessknoten. Aufgrund der engen Beziehung zwischen FeFET- und CMOS-Basistechnologie steht der Anwendung der FMC-Technologie auf Spitzentechnologieknoten wie 22 nm FDSOI, 1X nm FinFET und darüber hinaus nichts im Wege.
FMC – The Ferroelectric Memory Company löst eine der wichtigsten Hardware-Herausforderungen im Zeitalter des Internet der Dinge. Sowohl Fabless-Firmen als auch Halbleiterhersteller suchen heute nach eingebetteten nichtflüchtigen Speicherlösungen (eNVM), die es ermöglichen, dass Produkte wie Mikrocontroller (MCU) dem Moore’schen Gesetz folgen. Allerdings können alte eNVM-Lösungen wie eFlash keine kosteneffektiven Lösungen bieten, die für das Zeitalter des IoT so notwendig sind.
